近日，國家第三代半導體技術創新中心（江蘇）在2021年（第十三屆）蘇州國際精英創業周上發布了8個首批揭榜掛帥項目，項目圍繞第三代半導體在功率電子、微波射頻、新型顯示等領域重大需求和前瞻應用技術布局，涵蓋氮化物單晶材料、外延材料、金剛石材料三類核心材料，異質集成、Micro-LED顯示技術、激光顯示技術、功率微波四大產業領域和先進加工技術，以3億元資金池和500億元項目計劃總投資，吸引全球英才共同參與重大科研攻關，進一步激發創新活力，集聚智力資源攻克“卡脖子”技術難題，加快形成以企業為主導的科技資源統籌及科技攻關機制，引導推動科技成果產業化。

國家第三代半導體技術創新中心由江蘇省和深圳市聯合共建，2021年3月17日獲科技部正式批復。創新中心以關鍵共性技術研發為核心使命，按照戰略導向部署重點任務，聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用方向，重點突破材料、器件、工藝和裝備技術瓶頸，實現在電力電子、微波射頻和光電子等領域的應用突破，統籌全國優勢力量為第三代半導體產業提供源頭技術供給，支撐我國第三代半導體領域企業創新發展，推動產業創新能力整體躍升。